专访苏州易缆微：专注硅光薄膜铌酸锂异质集成瞄准高速1.6T/3.2T商用机遇

原文章来自讯石光通讯：http://www.iccsz.com/site/cn/News/2025/09/11/20250911084033835283.htm

ICC讯 9月10日，CIOE 中国光博会正式开幕，光子集成芯片创新引领着苏州易缆微半导体技术有限公司携一系列面向高速率应用的硅光异质集成芯片产品亮相展会，展台现场（展位号11C26）门庭若市，行业观众纷纷关注易缆微在硅光薄膜铌酸锂技术领域的创新产品动态。

ICC讯石编辑在现场看到了易缆微展示的一系列产品，例如单波400Gbps异质集成差分调制芯片、1.6T（单波200Gbps）异质集成差分调制芯片、80GHz光强度调制芯片、CWDM4 Demux组件、OCS 8x8以及各类高密度的FA光学组件等产品亮相。

      硅光与薄膜铌酸锂异质集成是1.6T与3.2T关键实现方案

苏州易缆微创始人暨董事长陈伟博士在讯石光通讯网采访中表示，苏州易缆微在本届光博会亮相的一系列光子集成芯片产品，皆依托于具有自主知识产权的硅光子异质集成产品开发平台，该平台可以将硅材料、薄膜铌酸锂材料等光电子芯片核心材料通过键合实现异质集成的混合结构，进而将硅的成本优势和薄膜铌酸锂的性能优势充分结合，为更高带宽的调制速率提供可行性，是实现下一代1.6T和3.2T光模块和CPO的关键技术。据讯石了解，在本次展会，易缆微推出了全球首发的基于硅光异质集成薄膜铌酸锂的单波400Gbps差分调制芯片，该芯片采用了完全自主知识产权8英寸晶圆级硅光异质集成薄膜铌酸锂工艺制备，利用成熟的CMOS硅光工艺和Die-to-Wafer键合工艺，实现了硅光优异的无源器件性能和薄膜铌酸锂优异的电光特性优势互补。

硅光异质集成薄膜铌酸锂单波400Gbps差分调制芯片

陈伟认为，这款芯片产品再次证明了利用异质集成技术可以充分发挥不同材料体系各自优势是硅光平台演进发展的最优解。公司将持续推动工艺的迭代发展，预计明年将推出超低插损的八通道芯片共享一颗CW DFB光源，这种设计方案可以帮助光模块厂商简化光模块内部结构复杂度，并进一步降低成本。

打造硅光芯片工艺中试线。易缆微抓住高速市场机遇

AI大模型的爆发带动了智算数据中心和算力集群规模的高速发展，光互连是实现AI智算拓展网络的关键。讯石认为，光通信产业正处于新一轮高速增长时期，这一时期因AI人工智能技术和GPU性能持续迭代，缩短了数据通信高速光模块迭代周期，1.6T在2025年已有小批量出货，预计2026年将迎来大规模应用，更下一代的3.2T也在加速研发验证中。苏州易缆微的硅光薄膜铌酸锂异质集成芯片在高速光模块具有极高的应用价值。在市场发展方面，ICC讯石产业院分析2026年800G需求将达4500万只，1.6T也达到1100万只。同时在AI算力浪潮中，硅光技术成为市场变革的明星，据ICC讯石产业院预测，当前800G光模块的硅光技术市占率近35%-50%，400G光模块约20%-30%。互联网厂商也表示采购1.6T光模块基本将选择硅光类型产品。

硅光薄膜铌酸锂产品

而面对不断增长的市场需求，苏州易缆微打造的硅光芯片工艺中试线已经投入使用，成为公司产业化发展的重要里程碑。据陈伟介绍，易缆微硅光芯片工艺中试线攻克了高精度键合与晶圆级加工等关键技术的瓶颈，目前可以满足年产芯片20万-50万颗的产能需求，以及每月数百片不同客户样品的定制需求及制备。

总结

AI大模型自2023年以来，已经持续了3年的高速发展，AI算力需求不断提高推动了AI集群规模部署和互连带宽技术演进。英伟达、博通等国际厂商引领CPO技术和商用的进展，400G/800G以及1.6T光模块市场也以远超业界预期的速度持续增长。ICC讯石认为AI已经成为光通信产业历史中最为重要的一次变革机遇。在这轮变革趋势的最大亮点之一，就是硅光已经从过去的技术概念走向了商业现实且市场占比迅速提高。

陈伟博士（左）接受讯石采访

苏州易缆微董事长陈伟博士具有二十多年硅光子技术研发经验，深刻了解硅光子技术的发展进程和未来趋势。众所周知，提升光通信调制器技术是光模块和CPO朝1.6T和3.2T演进的核心路径。苏州易缆微通过将硅光子和薄膜铌酸锂以先进键合方式实现异质集成的结合，是光通信调制器技术的重要创新，为苏州易缆微在下一代光通信高速时代中占据商用先机奠定基础。